Лаборатория технологии гомоэпитаксии

Заведующий лабораторией - доктор физико-математических наук В.В. Коробцов

Состав лаборатории:

Количество сотрудников - 4,
научных сотрудников - 4,
докторов наук - 1,
кандидатов наук - 2

Основные направления научных исследований

• Изучение процессов роста легированных и нелегированных пленок кремния и формирования многослойных гетеросистем в условиях сверхвысокого вакуума
• Развитие метода молекулярно-лучевой эпитаксии кремния для получения новых объектов и материалов для физических исследований и создания эпитаксиальных полупроводниковых структур для элементов микро-, нано-, и оптоэлектроники.

Основные результаты

• Изучена динамика процессов взаимодействия потока В2О3 с Si(111) и Si(100) поверхностями: определены лимитирующая стадия и кинетические характеристики разложения В2О3.
• Обнаружен эффект селективной адсорбции газовых компонент из атмосферы воздуха на модифицированной бором поверхности кремния с ориентацией (111) и изучена возможность его применения для синтеза островков нитрида бора на поверхности кремния.

Основные публикации

1. Korobtsov V.V., Shaporenko A.P., Balashev V.V., Lifshits V.G. RHEED study of Si(111) 3x 3R30-B formation process during B2O3 irradiation on Si(111)7x7 surface. Physics of Low-Dimensional Structures. 7/8, 15-22 (1999).
2. Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Shaporenko A.P., Balashev V.V. Boron Nitride Formation on Highly Boron-Doped Si(111) Surface: AES,EELS and LEED Study. In: Proceeding of International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000 Nagoya, Sept. 24-27, -2000. 256.
3. Shaporenko A.P., Korobtsov V.V., Balashev V.V. Si growth on the Si(111)-B surface phase depending on the type of surface phase formation and initial boron coverage. SPIE Proceedings. 4086, 112-115 (2000).
4. Korobtsov V.V., Balashev V.V., Bazarsad Kh. B2O3 decomposition on Si(100) surface. Physics of Low Dimensional Structures, 2, 34-41 (2006).